Кремний монокристаллӣ ба кристаллизатсияи умумии маводи кремний ба як шакли кристалл дахл дорад, дар айни замон маводи тавлиди нерӯи фотоэлектрикӣ васеъ истифода мешавад, ҳуҷайраҳои офтобии кремнийи монокристаллӣ технологияи баркамолтарин дар ҳуҷайраҳои офтобии кремний мебошанд, нисбат ба ҳуҷайраҳои офтобии полисиликон ва аморфӣ, самаранокии табдили фотоэлектрикии он баландтарин аст.Истеҳсоли ҳуҷайраҳои кремнийи монокристалии баландсифат ба маводи баландсифати кремнийи монокристаллӣ ва технологияи коркарди баркамол асос ёфтааст.

Ячейкаҳои офтобии кремнийи монокристаллӣ ҳамчун ашёи хом чубҳои кремнийи монокристаллиро бо тозагӣ то 99,999% истифода мебаранд, ки ин ҳам арзиши онро зиёд мекунад ва дар миқёси васеъ истифода бурдан душвор аст.Бо мақсади сарфаи хароҷот, талаботи моддӣ барои татбиқи ҷории батареяҳои офтобии кремнийи монокристаллӣ сабук карда шуд ва баъзеи онҳо маводи сар ва думро истифода мебаранд, ки тавассути дастгоҳҳои нимноқил ва партовҳои кремнийи монокристаллӣ коркард карда мешаванд ё ба чубҳои кремнийи монокристаллӣ сохта шудаанд. ҳуҷайраҳои офтобӣ.Технологияи фрезеркунии пласти кремнийи монокристалл воситаи самарабахши кам кардани талафи нур ва баланд бардоштани самаранокии батарея мебошад.

Бо мақсади кам кардани хароҷоти истеҳсолӣ, ҳуҷайраҳои офтобӣ ва дигар замимаҳои заминӣ чӯбҳои кремнийи монокристалии сатҳи офтобиро истифода мебаранд ва нишондиҳандаҳои кори моддӣ сабук карда шудаанд.Баъзеҳо инчунин метавонанд маводҳои сару дум ва партовҳои кремнийи монокристалии тавассути дастгоҳҳои нимноқил коркардшударо истифода баранд, то чубҳои кремнийи монокристалии барои ҳуҷайраҳои офтобӣ созанд.Асои кремнийи монокристаллӣ ба бурида бурида мешавад, ки ғафсӣ тақрибан 0,3 мм аст.Пас аз сайқал додан, тоза кардан ва дигар равандҳо, вафли кремний ба ашёи хоми вафли кремний барои коркард карда мешавад.

Коркарди ҳуҷайраҳои офтобӣ, пеш аз ҳама дар вафли кремний допинг ва диффузия, допинги умумӣ барои миқдори ками бор, фосфор, сурма ва ғайра.Диффузия дар печи диффузии баландҳарорати аз найҳои кварцӣ сохташуда гузаронида мешавад.Ин дар лавҳаи кремний пайванди P > N эҷод мекунад.Сипас усули чопи экран истифода мешавад, хамираи хуби нуқра дар чипи кремний барои сохтани хати шабака чоп карда мешавад ва пас аз синтеризатсия электроди қафо сохта мешавад ва сатҳ бо хати тор бо манбаи инъикос пӯшонида мешавад, то ки пеши роҳи наҳрро пешгирӣ кунад. шумораи зиёди фотонҳо аз инъикоси сатҳи ҳамвори чипи кремний.

Ҳамин тариқ, як варақи як ҳуҷайраи офтобии кремнийи монокристаллӣ сохта мешавад.Пас аз санҷиши тасодуфӣ, порчаи ягона метавонад ба модули ҳуҷайраи офтобӣ (панели офтобӣ) мувофиқи мушаххасоти зарурӣ ҷамъ карда шавад ва шиддат ва ҷараёни муайяни баромад бо усулҳои силсилавӣ ва параллелӣ ташкил карда мешавад.Ниҳоят, чаҳорчӯба ва мавод барои инкапсуляция истифода мешаванд.Мувофиқи тарҳи система, корбар метавонад модули ҳуҷайраи офтобиро ба андозаҳои гуногуни массиви ҳуҷайраҳои офтобӣ, ки ҳамчун массиви ҳуҷайраҳои офтобӣ низ маълум аст, созад.Самаранокии табдили фотоэлектрикии ҳуҷайраҳои офтобии кремнийи монокристаллӣ тақрибан 15% ва натиҷаҳои лабораторӣ зиёда аз 20% мебошанд.